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iPhone6 TLC/MLC閃存性能測試比較

[摘要]128GB版本iPhone6 Plus被傳出采用了TLC閃存而導(dǎo)致頻繁四死機(jī)的影響仍在繼續(xù)。 近日又有媒體報道稱, 部分64GB版本的iPhone6也同樣存在這一問題。 我們此前也與用戶分享了不越獄設(shè)備如何檢測iPhone6是采用TLC亦或是MCL內(nèi)存的方法。 那么iPhone6采用TLC或...

128GB版本iPhone6 Plus被傳出采用了TLC閃存而導(dǎo)致頻繁四死機(jī)的影響仍在繼續(xù)。 近日又有媒體報道稱, 部分64GB版本的iPhone6也同樣存在這一問題。 我們此前也與用戶分享了不越獄設(shè)備如何檢測iPhone6是采用TLC亦或是MCL內(nèi)存的方法。 那么iPhone6采用TLC或MCL內(nèi)存在性能上有何區(qū)別?

  香港知名硬件網(wǎng)站HKEPC近日就此問題做了一次詳細(xì)測試, 他們找來了多個iPhone6 64GB樣本, 包括太空灰, 銀色及金色各種顏色, 而且出貨日期十分接近。

  結(jié)果發(fā)現(xiàn), 同樣是iPhone6 64GB A1586港行, 出現(xiàn)了HYNIX(海力士)、TOSHIBA(東芝)MLC顆粒及TOSHIBA(東芝)、SANDISK TLC顆粒四種不同版本。

  為了測試采用不同閃存顆粒的iPhone 6 64GB在磁盤性能方面是否存在差異, HKEPC使用SSH對樣機(jī)進(jìn)行了DD Copy測試, 分為Zero Fill(全零填充)以及Random Fill(隨機(jī)填充)兩種方式, 進(jìn)行1K、4K、16K、64K、256K、1024K、4096K、8192K、32768K大小文件測試, 每個文件大 小重復(fù)100次。

    Zero Fill(全零填充)測試:

iPhone6 TLC/MLC閃存性能測試對比iPhone6 TLC/MLC閃存性能測試對比:MLC為何優(yōu)于TLC?

  HKEPC測試發(fā)現(xiàn), 采用TLC閃存的iPhone6 64GB會針對磁盤系統(tǒng)進(jìn)行快速存取優(yōu)化, 只要開啟顯存使用的App, 當(dāng)系統(tǒng)進(jìn)行拷貝時會使用系統(tǒng)內(nèi)存進(jìn)行暫存, 以提升TLC寫入的系統(tǒng)性能, 甚至出現(xiàn)了TLC閃存顆粒的iPhone6 64GB進(jìn)行拷貝時, 性能表現(xiàn)超越了MLC顆粒的版本, 最高寫入速度高達(dá)207MB/s。

  不過, 數(shù)據(jù)文件超過400MB以后, 其系統(tǒng)性能就會出現(xiàn)嚴(yán)重的下降, 前臺應(yīng)用甚至?xí)霈F(xiàn)延遲或者閃退的情況。 如果采用TLC閃存的iPhene 6 64GB開啟了多個消耗系統(tǒng)內(nèi)存的App, 磁盤性能下降問題會更明顯, 因?yàn)榇疟P系統(tǒng)會根據(jù)內(nèi)存使用情況分配快速存取硬盤的可用容量。

iPhone6 TLC/MLC閃存性能測試對比iPhone6 TLC/MLC閃存性能測試對比:MLC為何優(yōu)于TLC?

  iPhone6 64GB TLC NAND閃存加入了動態(tài)緩存技術(shù)

iPhone6 TLC/MLC閃存性能測試對比iPhone6 TLC/MLC閃存性能測試對比:MLC為何優(yōu)于TLC?

  iPhone6 64GB TLC NAND閃存沒有動態(tài)緩存技術(shù)

  另一方面, 采用MLC閃存的iPhone6 64GB進(jìn)行文件拷貝時, 系統(tǒng)內(nèi)存并沒有針對磁盤進(jìn)行快速存取, 但整體表現(xiàn)比較平均。 其中, 以采用TOSHIBA(東芝)MLC顆粒的性能最佳, 最高寫入速度達(dá)到79.2MB/s, HYNIX(海力士)MLC顆粒就要差一些, 最高只有70.2MB/s。

  此外, 和TLC不同的是, 采用MLC顆粒的iPhene 6 64GB進(jìn)行文件拷貝時, 系統(tǒng)內(nèi)存使用的情況并沒有太多變化, 也沒有因?yàn)榭截惔笪募䦟懭胨俣却蠓陆担?前臺應(yīng)用在拷貝時保持穩(wěn)定, 沒有出現(xiàn)延遲或閃退的情況。

    Random Fill(隨機(jī)填充)測試:

iPhone6 TLC/MLC閃存性能測試對比iPhone6 TLC/MLC閃存性能測試對比:MLC為何優(yōu)于TLC?

  當(dāng)改用隨機(jī)填充測試時, TLC和MCL的性能差距明顯擴(kuò)大。 由于系統(tǒng)內(nèi)存難以對細(xì)小非連續(xù)的文件繼續(xù)動態(tài)存取, 采用TLC顆粒的iPhone6 64GB的寫入性能大幅下降至3MB/s以下。 雖然采用MLC的版本表現(xiàn)也不是太理想, 但小文件寫入都在3.5MB/s, 隨著文件增大, 表現(xiàn)也會明顯上升。 相反, TLC由于采用動態(tài)快速存取磁盤優(yōu)化, 對隨機(jī)拷貝測試沒有幫助, 相反令CPU的占用率大幅度提高, 導(dǎo)致iPhone6出現(xiàn)沒有反應(yīng)的現(xiàn)象。

   內(nèi)存使用:

  下圖一是TLC閃存iPhone6 64GB的內(nèi)存使用情況, 當(dāng)進(jìn)行文件拷貝時, 內(nèi)存使用率會突然大幅提升。 最明顯的是, Inactive部分突然由93.4MB上升到232.8MB, 這些文件會被iOS暫時存在內(nèi)存用作為硬盤緩存, 空閑部分只有28.2MB。

  下圖二為MLC閃存iPhone6 64GB的內(nèi)存使用情況, 進(jìn)行文件拷貝時, 內(nèi)存上升幅度明顯沒有TLC那么大, 空閑內(nèi)存也有165.1MB。

iPhone6 TLC/MLC閃存性能測試對比iPhone6 TLC/MLC閃存性能測試對比:MLC為何優(yōu)于TLC?
iPhone6 TLC/MLC閃存性能測試對比iPhone6 TLC/MLC閃存性能測試對比:MLC為何優(yōu)于TLC?

    點(diǎn)評:

  1、使用TLC的iPhone6確實(shí)會在高負(fù)載文件寫入時出現(xiàn)不穩(wěn)定的情況, 比如應(yīng)用崩潰;

  2、MLC顆粒的性能綜合表現(xiàn)要更好, 也要穩(wěn)定的多。

  3、祈禱自己買到MLC版本吧。

  由此可見, 此前報道的iPhon 6/6 Plus出現(xiàn)死機(jī)、應(yīng)用崩潰的情況客觀存在, 而且是可以用測試證明的。 從之前的消息來看, 128GB版本基本都是TLC, 64GB也基本是一半一半。 如果你想保險, 只能選擇16GB版本了。

  至于蘋果為啥會用TLC, 而不是全都用MLC?有個字叫:錢。


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